高彤山巡视员一行科技支疆项目考察情况之十二--碳化硅晶体产业化项目进展良好来源：兵团科技局政策法规处　作者：李国军 张永安［ 发表日期：08-06-24 11:35:02｜点击次数：< language=Java src="http://www.btkw.gov.cn/Click.asp?type=ajax&SubSys=NS&spanid=NS_id_click_B63DKC13HJ6FD58"> 97 次 ］

2008年6月29日，考察组一行在中科院物理所听取了由新疆天科合达蓝光半导体有限公司、中国科学院物理研究所、中国科学院上海硅酸盐研究所承担的2007年国家科技支撑计划项目《宽带隙半导体材料碳化硅晶体产业化关键技术的研究》的进展情况，经质询问答和现场勘验，一致认为该项目进展情况良好。

该项目共设四个课题，分别为“晶体生长炉工艺优化与集成控制技术”、“半绝缘碳化硅晶体成品率控制技术”、“导电碳化硅晶体晶体成品率控制技术”、“即开即用碳化硅晶片批量加工技术”。按照阶段性目标，实际执行情况分别为：①已增10台晶体生长炉投产，其晶体炉由第一代发展到第四代，在炉膛尺寸、真空度、度控制和气压控制等方面进行了优化改进，购置了计算机和联网控制装置，完成了设备调试和验收，开发了计算机群控和远程控制软件，且5月30日定购了新一批6台晶体炉正待安装与试生产，预计可超额完成进度任务33.3%；②计划半绝缘晶体电阻率达到105欧姆·厘米量级，实际达到106欧姆·厘米；计划2英寸晶片微管缺陷密度小于100个/平方厘米，实际低于80个/平方厘米；计划晶体摇摆曲线半高宽小于200 rad·s，实际小于150 rad·s；达到了晶型稳定可控指标；③导电型晶体电阻率达到了小于0.1欧姆·厘米量级的要求，晶体摇摆曲线半高宽小于150 rad·s2，比200 rad·s指标低了四分之一，晶型稳定可控，晶体成品率达到了大于30%的预期目标；④完成了金刚石多线切割机、数控平面磨床、研磨机、抛光机、原子力显微镜、晶片表面平整测试仪、激光打字机、电子显微镜、晶片包装盒洗盒机等的订货，做到了晶片的表面粗糙度小于0.5nm、晶片的弯曲度±25 mm、晶片的翘曲度）小于25 mm、晶片的总厚度变化＜25 mm、加工成品率大于80％和晶片即开即用的目标要求。

项目组目前正在改进与完善2项生长工艺，确保在较宽的条件下生长出合格晶体，确定3英寸和半绝缘晶体生长工艺，进一步完善抛光工艺，制订、完善原材料检验及其它工艺标准，并将开展ISO9000培训等工作，以确保产品质量不断提高和如期完成项目计划任务。