碳化硅项目进展超预期

　　碳化硅项目进展超出预期，国防科工委、科技部、国家发改委都大力支持项目开发，已经被列为新疆建设兵团一把手工程。调研情况看，从技术产品、加工工艺、生产进度、市场及客户开发上都超过了预期。topcj.com

　　新疆石河子、中科院、苏州新区产业基地功能模块已经定位，的生产环境已进入批量生产，成品率达到国际先进水平，销售情况看，拥有近10家国内外客户，现在处于客户试用阶段，从反馈结果来看，产品质量获得客户认可。顶点财经

　　2007年是碳化硅晶片从试验环境走向产业化的关键之年，从生产上看已经成功了，2008年建设晶体加工产业化基地，形成每年12万片碳化硅等半导体晶片加工能力，2009年要扩展到30万片年加工能力，要成为国家级碳化硅晶片研发和生产中心。

　　

　　第三代半导体衬底市场前景分析

　　高亮度LED主要的应用领域移动设备和液晶的背光源需求占整个市场的近60%。其他主要是汽车和信号灯市场，以GaN基第三代半导体材料主要应用于军事、景观照明、汽车照明、日常照明。在节能环保的大趋势下，特别是固态白光高亮度照明技术有希望发展成为未来照明的主题技术，预计在2020年前取代白炽灯等普通照明，将会形成500亿美元产值的巨大新兴产业。公司是我国碳化硅晶片衬底唯一拥有自主知识产权技术的企业，与国外技术上没有差距产业化规模逐步扩大，市场潜力不可估量。.com

　　根据半导体照明网上资料，半导体照明已被列为十一.五重点项目，节能环保的中长期优先主体，2001-2006年半导体照明年均增长50%左右，总产值达到1600亿，我国从事半导体照明的企业500余家，LED封装企业近千家，已成为国际LED封装大国，年产10万片规模以上企业约20家，主要分布在珠江三角洲和长江三角洲地区。目前国内90％的芯片是大陆以外地区进口。

美国Cree公司开发出了以碳化硅为基底的高亮蓝光晶片，因为碳化硅可以承受上千伏的高压和500度的高，所以它的最高亮度可以达到1000-1500ml，完全可以取代普通照明灯。目前我们可以见到的100元左右的LED高亮手电就是使用CREE的产品，还有一些高档轿车的车灯已经开始使用LED。如果利用LED照明取代灯泡的话，能节电70%左右。普通的白炽灯功率一般为40～60W，而LED灯只需3～6W，并可将寿命延长到3万～5万小时，虽然LED照明器具的价格比普通电灯泡贵，但这些额外成本将在3～5年内省回来。

以前世界上只有CREE可以生产碳化硅晶片，现在我们的天富也可以工业化生产。

中国态度

我国已成为世界第一大照明电器生产国和出口国，2006年中国照明行业产值约1600亿元，出口100亿美元，但仅占全球市场18％，大而不强。面对千载难逢的历史机遇，发展中国的半导体照明新兴产业已经时不我待。2003年6月，科技部联合信息产业部、教育部、建设部、中科院、轻工业联合会等单位，成立国家半导体照明工程协调领导小组，紧急启动了国家半导体照明工程。经过“十五”期间工程的组织与实施，功率型芯片和功率型白光封装达到国际产业化先进水平，发光功率和发光效率分别达到189 mW和47 lm/W，改变了过去蓝光芯片主要依赖进口的不利局面；包括LED车灯、矿灯等四大类140多个新产品陆续开发成功，大部分已实现了批量生产。2006年国产芯片市场占有率44%，2001-2006年LED市场销售额年平均增长率48％，2006年LED封装产值146亿元。已经形成了从外延片生产、芯片制备、器件封装到集成应用的比较完整的研发体系。预计2010年我国半导体照明及相关产业产值将达到1000亿元。

　　2006年初，发布了《国家中长期科学和技术发展规划纲要》，“高效节能、长寿命的半导体照明产品”被列入中长期规划第一重点领域（能源）的第一优先主题（工业节能），在国内外引起广泛关注。2006年10月，国家“十一五”863计划“半导体照明工程”重大项目正式启动。我国半导体照明产业正在进入自主创新、实现跨越式发展的重大历史机遇期。

　　“十一五”国家半导体照明工程的发展，将重点围绕半导体普通白光照明的目标，强调创新性，突破白光照明技术的部分核心专利，实现重点跨越；强化技术集成，围绕重大战略产品，产学研上下游联合攻关，解决制约产业发展的共性关键技术；实施产业技术联盟与人才培养、基地建设战略，建立完善的技术创新体系与特色产业集群，提升产业持续创新的能力，最终形成有自主知识产权和中国特色的半导体照明新兴产业。

《国家中长期科学和技术发展规划纲要》中的(32)新一代信息功能材料及器件    (33)军工配套关键材料及工程化　都与碳化硅有关。

目前国内仅有中科院-天富热电联合企业有产业化能力。做为LED产业的上游企业，天富热电已经获得国家科技部每年2000万的发展基金。

   目前航天和军工下属的四家院所已有两家开始使用，订货1亿/年，另两家还在进行测试，在航天宇航碳化硅器件是不可取代的，可以抵御太空中强大的射线辐射及巨大的差，在核战或强电磁干扰作用的时候，碳化硅电子器件的耐受能力远远强于硅基器件，雷达、通信方面有重要作用.