2008年初已中试成功，实现生产加工碳化硅晶片1万片；蓝宝石4万片。

碳化硅（SiC）是继第一代半导体硅和第二代半导体砷化镓（GaAs）发展起来的第三代半导体材料之一。由于其优良的电学性质，使得它在高、高频、大功率光电器件将逐步取代现有的硅和砷化镓基光电器件。
    由于SiC和GaN半导体器件，高亮度的紫外蓝光的LED和LD，以及固体照明的需求，宽带半导体（SiC, GaN）的市场额将增至48亿美元。此外，SiC将在大功率器件如电网调节和高频器件如通讯系统和高清晰度电视系统有着不可估量的市场前景。
    目前，一片两英寸SiC晶片（半径50mmx0.3mm）在国际市场上价格达800~1000美元，降低SiC晶片的费用对于进一步发展SiC半导体市场极为重要。
    经中科院院地合作局批准同意以无形资产“碳化硅单晶生长和晶片加工技术”发明系列非专利技术与上海汇合达投资管理有限公司、新加坡G3 Blue Technology Pte Ltd公司合作成立成立“天科和达蓝光半导体有限公司”。主要产品碳化硅晶片。目前有关工作正在进行中。2007年6月与苏州新区科技城合作计划设立“苏州天科和达蓝光半导体有限公司”。批量生产即开即用（Epi-Ready）的碳化硅和蓝宝石衬底晶片，一是提供宽禁带半导体产业基础材料 – 碳化硅晶片，满足国家战略需求；二是向中国半导体固体照明行业提供碳化硅和蓝宝石衬底晶片，进口替代，以促进中国微电子产业和固体照明（白光和蓝光LED）行业的发展。

碳化硅，蓝宝石晶片按照国际半导体标准（如 SEMI Std）生产加工。

　　其中关键技术性能指标：

 碳化硅晶片：表面光洁度 < 0.5 nm; 晶体加工产率〉80%；
 蓝宝石晶片：表面光洁度 < 0.3 nm; 晶体加工产率 〉90%；
 碳化硅和蓝宝石晶片满足氮化镓（GaN）和碳化硅（SiC）外延生长即开即用；

　　2008年初已中试成功，实现生产加工碳化硅晶片1万片；蓝宝石4万片。
　　达到国际同类产品， 如美国克里（Cree）公司，二六公司(II –VI)，德国SiCrystal公司的碳化硅晶片的先进水准。

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中试指为了使科研成果顺应市场与产业化的需求，减少转化风险，提高转化率，而进行的批量放大试生产、试营销、试使用的过程。这个过程的目的在于验证、改进、完善实验室成果或理论成果，消除各种不确定性因素，取得可靠的数据，使之与其他相关技术匹配，与生产实际相符合，与社会需要相一致，从而使新技术顺利应用到生产中，将新产品成功地推向市场。